December 11 2017 07:45:59
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
выпрямляющий переход
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Существенное различие проводимости (p – n) перехода при прямом и обратном напряжении обусловило его применение в качестве выпрямительного диода  (рис.1.7,в). В конструктивно завершенном полупроводниковом диоде выпрямляющий переход заключен в изолирующий корпус и снабжен металлическими выводами. Эквивалентная схема диода (рис.1.7,г) состоит из нелинейных сопротивления и емкости перехода, сопротивления r, отражающее вклад сопротивлений областей полупроводника вне переходной области и сопротивлений выводов, сопротивления Rиз, учитывающего наличие токов утечки через изолирующий корпус.

При небольшом запирающем переход обратном напряжении диод можно представить плоским конденсатором, диэлектриком которого служит область перехода, а обкладками проводящие области (p, n). Использование емкостного эффекта полупроводниковой структуры служит основой создания нелинейного конденсатора, называемого варикапом (рис.1.8,а).


Рис.1.8 Варикап (а) и его характеристика (б); обратная ветвь ВАХ перехода (в); стабилитрон (г), характеристики металл – полупроводник (д) и диод Шоттки (д).

Емкость плоского конденсатора img05, называемая барьерной, определяется площадью перехода s и зависит от напряжения (рис.1.8,б) вследствие вариации толщины запирающего слоя Δ(u) при изменении напряжения. При прямом напряжении переход характеризуется диффузионной емкостью img06, которая шунтирована малым сопротивлением rd.

При больших значениях обратного напряжения диода img07 весьма малое его повышение img08 вызывает резкое возрастание тока (рис.1.8,в), обусловленное явлением электрического пробоя. Неизменность напряжения при лавинном пробое позволяет изготовить на основе перехода стабилитрон (рис.1.8,г), используемый для стабилизации уровня напряжения.  

Создание контакта металла с полупроводником приводит к перераспределению носителей зарядов в прилегающей  области, т.е. образует электрический переход, который обладает различными характеристиками в зависимости от параметров полупроводника и типа металла.  

Выбор металла, в качестве которого обычно используют алюминий или медь, и параметров полупроводника так, чтобы работа выхода его электронов была больше, приводит к переходу электронов в полупроводник и его обогащению основными носителями. При этом сопротивление переходной области полупроводника снижается, потенциальный барьер отсутствует, и вольтамперная характеристика (рис.1.8,д) имеет вид линейной зависимости с малым переходным сопротивлением. Такой контакт, называемый «омическим», применяют для подключения полупроводникового прибора к  другим устройствам.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.03 секунд 2,294,920 уникальных посетителей