December 17 2017 04:05:48
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Управляемые полупроводниковые приборы
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Если энергия выхода электронов металла больше энергии носителей заряда полупроводника, то контакт имеет нелинейную внешнюю характеристику, на основе которой изготавливают диод Шотки (рис.1.8,е). В полученном приборе с характеристикой как у p – n перехода с меньшим значением напряжения отпирания U*ш = 0,4 В напряжение управляет потоком основных носителей, что обуславливает высокую скорость переходных процессов и позволяет использовать его для создания быстродействующих переключателей.

1.4. Управляемые полупроводниковые приборы

С помощью многослойных полупроводниковых структур, содержащих взаимосвязанные переходы, получают возможность электрического управления потоками зарядов и построения на их основе широкого класса приборов (транзисторов, тиристоров).

Одним из наиболее распространенных полупроводниковых приборов является биполярный транзистор (БТ), в структуре которого можно выделить эмиттерную (Э),  коллекторную (К) и базовую (Б) области, образующие два взаимодействующих р-n перехода: эмиттер – база и база – коллектор (рис.1.9,а).






Рис. 1.9. Структура биполярного транзистора (а), его включение (б) и эквивалентная схема (в)

Внешние источники подключают так, чтобы обеспечить усилительный (активный) режим работы транзистора, при котором  Uбэ смещает переход в прямом, а Uкб в обратном направлении (рис.1.9,б).

Приложение к эмиттерному переходу напряжения Uбэ >U* превышающего порог отпирания вызовет переход электронов из высоколегированной области эмиттера n+ в базу, создавая ток Iэ. При малой ширине базы лишь небольшое число электронов рекомбинирует со свободными дырками, а основная их часть достигнет коллекторного перехода и, захваченная его ускоряющим полем, будет втянута в коллекторную область, образуя ток iк =a iэ. Затраченное на рекомбинацию изменение заряда компенсируется небольшим током базы iб =iэ – iк = (1–a) iэ. Близкую к единице величину a @ 0,9...0,999 называют коэффициентом передачи тока эмиттера.

Эквивалентная схема (модель Эберса – Молла), отражающая принцип действия биполярного транзистора содержит два диода, моделирующие p – n переходы, и    управляемые источники тока, учитывающие взаимодействие токов переходов  (рис.1.9,в). Диоды характеризуются зависимостями img09, где Iк0, Iэ0 –токи обратно смещенных переходов; uб-к , uб-э  - напряжения на переходах.

Дифференциальное сопротивление открытого эмиттерного перехода значительно меньше дифференциального сопротивления обратно смещенного коллекторного перехода, что при практически равных токах iэ @ iк  свидетельствует об усилении транзистором напряжения и мощности.

На практике применяют также структуру транзистора с другим чередованием слоев: p-n-p. Эквивалентная схема будет иметь такой же вид, но при этом полярности включения диодов и направления всех источников следует заменить на противоположные.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.02 секунд 2,298,760 уникальных посетителей