October 16 2017 23:05:23
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
С т а т и ч е с к и е ОЗУ
ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

С т а т и ч е с к и е  ОЗУ имеют накопитель с ЗЭ в виде различных модификаций потенциальных триггеров на биполярных или полевых транзисторах. При отключении электропитания записанная в ЗЭ информация утрачивается, т.е. статические ОЗУ являются энергозависимыми.

Особенности и параметры различных типов микросхем статических ЗУ определяются в первую очередь технологическими и схемотехническими принципами построения ЗЭ накопителя (триггеров). Технология ТТЛШ позволяет получить микросхемы с широким диапазоном значений параметров, характеризующих быстродействие и энергопотребление ЗЭ. Разработка по технологии n-МДП триггеров, близких по быстродействию элементам ТТЛШ,  обладающих более низким потреблением, занимающих меньшую площадь и имеющих простой цикл изготовления, привело к их преимущественному использованию в схемах статических ОЗУ. Применяемые также КМДП элементы имеют более сложную технологию изготовления и структуру, обеспечивающую меньшую плотность элементов на кристалле, но обладают минимальной мощностью потребления.

Типичный n-МДП элемент  представляет собой статический RS триггер на транзисторах Т1, Т2  с двумя парафазными совмещенными входами-выходами, которые через ключевые транзисторы Т3, Т4  подключены к шинам данных (рис. 8.8,а).


Рис.8.8. Запоминающие элементы статического ОЗУ: а – n-МДП, б – КМДП

В зависимости от сочетания сигналов управления ЗЭ может работать в режимах хранения, записи или считывания. В режиме хранения напряжение адресной шины Ux =U 0 » 0 и ключевые транзисторы Т3, Т4 находятся в закрытом состоянии, отключив входы (выходы) триггера от шины данных. В режимах записи и считывания на адресной шине присутствует высокое напряжение Ux =U 0  и ключевые транзисторы открыты. При записи емкости С1, С2 заряжаются до заданных на шинах данных напряжений, обеспечивая соответствующее состояние триггера. Аналогично при  считывании потенциалы  выходов триггера поступают высокоомный вход усилителя, что обеспечивает чтение без разрушения информации.

В некоторых сериях микросхем вместо резисторов R1, R2 используют нагрузочные n-МДП транзисторы. Схемы с высокоомными резисторами (до 10 9 Ом), полученные на основе поликремния в результате совершенствования технологии, обеспечивают высокий уровень интеграции и снижение потребления в режиме хранения. Для уменьшения потребления в режиме хранения используют пониженное до 2…3 В напряжение электропитания или источники импульсного напряжения.

Наименьшим потреблением отличаются статическая память на ЗЭ, выполненных по КМДП технологии (рис. 8.8,б). В режиме хранения в силу особенностей схемы на взаимодополняющих транзисторах Тn и Тp (закрытое состояние одного из транзисторов цепочки) потребляемая микросхемой от источника питания мощность снижается примерно на три порядка. Малое энергопотребление ОЗУ на КМДП триггерах используют для получения ОЗУ, сохраняющих записанную информацию при отключении электропитания. Для этого в блоке памяти к выводам питания через ключ подключают резервный источник напряжения (малогабаритный литиевый элемент). При выключении основного питания ключ замыкается и подключает к блоку буферный источник напряжения.

Микросхемы статического ОЗУ изготавливают, как правило, на не слишком большие емкости (до 1 Мбит) с временем доступа от 100 до 10 нс и менее. ЗУ меньшей емкости с высоким быстродействием применяют в устройствах КЭШ памяти. Запоминающая ячейка накопителя статического ОЗУ на потенциальных триггерах не обеспечивает высокой степени интеграции и большой информационной емкости. Отказ от триггерных ячеек хранения данных (переход к динамическим способам) приводит к существенному увеличению плотности упаковки элементов, росту информационной емкости и снижению стоимости микросхем ЗУ.  

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.04 секунд 2,254,130 уникальных посетителей