October 18 2017 12:24:16
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Режимы запоминающих элементов
ЭЛЕКТРОНИКА- курс лекций

В зависимости от сочетания сигналов управления ЗЭ может работать в режимах хранения, записи или считывания. В режиме хранения напряжение адресной шины Ux =U 0 » 0 и ключевые транзисторы Т3, Т4 находятся в закрытом состоянии, отключив входы (выходы) триггера от шины данных. В режимах записи и считывания на адресной шине присутствует высокое напряжение Ux =U 0  и ключевые транзисторы открыты. При записи емкости С1, С2 заряжаются до заданных на шинах данных напряжений, обеспечивая соответствующее состояние триггера. Аналогично при считывании потенциалы выходов триггера поступают на высокоомный вход усилителя, что обеспечивает чтение без разрушения информации.

В некоторых сериях микросхем вместо резисторов R1, R2 используют нагрузочные n-МДП транзисторы. Схемы с высокоомными резисторами (до 10 9 Ом), полученные на основе поликремния в результате совершенствования технологии, обеспечивают высокий уровень интеграции и снижение потребления в режиме хранения. Для уменьшения потребления в режиме хранения используют пониженное до 2…3 В напряжение электропитания или источники импульсного напряжения.

Наименьшим потреблением отличаются статическая память на ЗЭ, выполненных по КМДП технологии (рис.6.40,б). В режиме хранения в силу особенностей схемы на взаимодополняющих транзисторах Тn и Тp (закрытое состояние одного из транзисторов цепочки) потребляемая микросхемой от источника питания мощность снижается примерно на три порядка. Малое энергопотребление ОЗУ на КМДП триггерах используют для получения ОЗУ, сохраняющих записанную информацию при отключении электропитания. Для этого в блоке памяти к выводам питания через ключ подключают резервный источник напряжения (малогабаритный литиевый элемент). При выключении основного питания ключ замыкается и подключает к блоку буферный источник напряжения.

Микросхемы статического ОЗУ изготавливают, как правило, на не слишком большие емкости (до 1 Мбит) с временем доступа 100 - 10 нс и менее. ЗУ меньшей емкости с высоким быстродействием применяют в устройствах кэш-памяти. Запоминающая ячейка накопителя статического ОЗУ на потенциальных триггерах не обеспечивает высокой степени интеграции и большой информационной емкости. Отказ от триггерных ячеек хранения данных (переход к динамическим способам) приводит к существенному увеличению плотности упаковки элементов, росту информационной емкости и снижению стоимости микросхем ЗУ.

Динамическую ячейку можно получить, убрав из схемы триггерного ЗЭ нагрузочные резисторы R1, R2 вместе с источником электропитания V, и для хранения данных использовать заряды конденсаторов сток-исток C1 = C2 = C,  причем высокое U 1 и низкое U0 напряжения и соответствующие им заряды q1 = CU1 и q0 = CU 0 обозначают символами 1 и 0. Запись информации в полученный ЗЭ можно осуществлять так же как в триггерную ячейку. Процесс считывания заключается в фиксации усилителем чтения изменения зарядов емкостей при их подключении через открытые ключевые транзисторы к шинам данных. Изменение первоначального заряда емкости означает разрушение информации при воспроизведении. В режиме хранения при отключении емкостей от шин данных происходит их разряд через проводимости затвор–исток и выравнивание напряжений, т.е. постепенное стирание записанной информации.

Существует несколько вариантов построения емкостной запоминающей ячейки (ЗЯ), отличающихся числом транзисторных ключей и технологией изготовления. В большинстве случаев запоминающий конденсатор и ключевые транзисторы формируют с использованием n-МДП технологии, обеспечивающей малые размеры ячейки, высокое быстродействие и малые токи утечки.

Разрушение информации, хранимой в виде заряда конденсатора, требует проведения его периодического восстановления (регенерации данных). Поскольку режим считывания также приводит к стиранию данных, то обязательной операцией при чтении является их восстановление по всех ЗЭ, подключенных к выбранной строке. Фактически режим регенерации входит в единый цикл считывания-восстановления.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.04 секунд 2,255,329 уникальных посетителей