December 12 2017 08:11:42
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Разбиение EEPROM-ПЗУ на блоки
МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ СЕМЕЙСТВА НС08

Табл. 3.80. Разбиение EEPROM-ПЗУ на блоки

Порядковый номер блока Бит защиты Диапазон адресов блока
HC08AZ0/32 Модуль EEPROM HC908AZ60 Модуль EEPROM(1) HC908AZ60 Модуль EEPROM(2)
Блок0 ЕЕВР0 $0800...$087F $0800...$087F $0600...$067F
Блок1 ЕЕВР1 $0880...$08FF $0880...$08FF $0680...$06FF
Блок 2 ЕЕВР2 $0900...$097F $0900...$097F $0700...$077F
БлокЗ ЕЕВРЗ $0980...$09FF $0980...$09FF $0780...$07FF

Адресное пространство EEPROM-ПЗУ МК HC08AZ0/32 разбито на две страницы, по 256 ячеек памяти в каждой. Первая страница объединяет блоки 0 и 1, вторая - блоки 2 и 3. Схема управления модуля БЕРНОМ реализует два способа адресации. При первом способе все 512 ячеек имеют свой индивидуальный адрес, тот, который указан в карте памяти МК. При втором способе адресуются только ячейки памяти первой страницы. Однако доступ реализуется одновременно к двум ячейкам. Такой режим адресации модуля EEPROM-ПЗУ МК HC08AZ0/32 называют режимом дублирования. Выбор между режимами полной адресации и режимом дублирования осуществляет бит EERA регистра EENVR.

Три регистра специальных функций используются для управления модулем EEPROM-ПЗУ в МК HC08AZ0 и HC08AZ32:

EECR  - регистр управления EEPROM-ПЗУ.

EENVR- энергонезависимый регистр конфигурации EEPROM-ПЗУ

EEACR - регистр конфигурации EEPROM-ПЗУ.

Форматы этих регистров приведены в Табл. 3.81 и 3.82.

Каждый из двух модулей EEPROM-ПЗУ МК HC908AZ60 использует для управления семь регистров специальных функций: первые три по формату и назначению битов почти полностью совпадают с одноименными регистрами МК HC08AZ0 и HC08AZ32, четыре последних характерны только для МК HC908AZ60 (Табл. 3.83...3.85).

EECRi              - регистр управления модулем i EEPROM-ПЗУ (i=1,2).

EENVRi           - энергонезависимый регистр конфигурации модуля i EEPROM-ПЗУ (i=1,2).

EEACRi           - регистр конфигурации модуля i EEPROM-ПЗУ (i=1,2).

EEDIVHNVRi - энергонезависимый регистр коэффициента деления модуля i EEPROM-ПЗУ (старший байт).

EEDIVLNVRi - энергонезависимый регистр коэффициента деления модуля i EEPROM-ПЗУ (младший байт).

EEDIVHi        - регистр коэффициента деления модуля i EEPROM-ПЗУ (старший байт).

EEDIVLi         - регистр коэффициента деления модуля i EEPROM-ПЗУ (младший байт).

Формат регистров EEDIVHi и EEDIVLi полностью совпадает с форматами регистров EEDIVHNVRi и EEDIVLNVRi соответственно. Однако рассматриваемые регистры являются ячейками ОЗУ, их биты доступны для записи, если режим секретности коэффициента деления повышающего преобразователя напряжения не установлен. Содержимое регистров EEDIVHi и EEDIVLi загружается из регистров EEDIVHNVRi и EEDIVLNVRi в процессе сброса МК.

Операцию стирания EEPROM-ПЗУ следует производить в соответствии с приведенным ниже алгоритмом:

1. Установите/сбросьте биты EERASE1:EERASEO в регистре EECR для выбора величины стираемого массива (один байт, блок или несколько блоков). Установите бит EELAT в регистре EECR.

2. Произведите запись любого однобайтового слова по адресу ячейки, которая подлежит стиранию, или по любому адресу стираемого блока или массива.

3. Установите бит EEPGM в регистре EECR. Этот бит разрешает работу повышающего преобразователя напряжения, и высокое напряжение стирания прикладывается к ячейкам памяти выбранного массива.

4. Задержка

t=tbyte=tblock=tbulk=10 мс

для стирания заданного массива памяти.

5. Очистите бит EEPGM.

6. Задержка

t=tETFPV=100 мкс

на время переходного процесса снятия высокого напряжения стирания.

7. Сбросьте бит EELAT.

Внимание! Бит защиты ЕЕВРх должен быть очищен для стирания данных из ячейки памяти, принадлежащей соответствующему блоку. Если бит ЕЕВРх установлен, то схема управления модуля EEPROM блокирует приложение высокого напряжения и данные ячейки/блока/массива не изменяются.

Табл. 3.81. Формат регистра EECR

EECR Регистр управления EEPROM-ПЗУ

EEPROM Control Register
7 6 5 4 3 2 1 0
EEBCLK 0 EEOFF EERAS1 EERAS0 EELAT AUTO EEPGM
Состояние при сбросе: $00
Имя бита Назначение бита
EEBCLK
Только для МК HC08AZ0/32! В МК HC08AZ60 этот бит не используется. Бит выбора источника тактирования повышающего преобразователя напряжения модуля EEPROM-ПЗУ (EEPROM Bus Clock Enable Bit).
1 - fBUS тактирует повышающий преобразователь напряжения.
0 - встроенный осциллятор тактирует повышающий преобразователь напряжения.
Режим тактирования от встроенного RC-осциллятора является основным режимом работы. Бит EEBCLK доступен для чтения и для записи. При сбросе устанавливается режим тактирования от встроенного осциллятора
EEOFF
Бит отключения модуля EEPROM-ПЗУ с целью снижения мощности потребления (EEPROM Power Down Bit).
1 - модуль EEPROM-ПЗУ отключен.
0 - модуль EEPROM-ПЗУ в рабочем режиме. Бит доступен для чтения и для записи. После сброса МК модуль EEPROM устанавливается в рабочий режим




EERAS1:
EERAS0
Биты выбора режима стирания или программирования EEPROM-ПЗУ и размера массива стираемой информации в адресном пространстве (Erase Bits).
EERAS1 EERAS0 Режим работы и размер массива для стирания
0 0 программирование байта данных
0 1 стирание байта данных
1 0 стирание блока данных в 128 байт
1 1 стирание нескольких блоков данных по 128 байт в каждом
Биты доступны для чтения и для записи. При сбросе устанавливается режим программирования байта данных
EELAT
Бит разрешения режима программирования (EEPROM Latch Control Bit).
Этот бит настраивает блок управления модуля EEPROM-ПЗУ на запоминание адресов и данных для программирования во внутренних регистрах модуля.
1 - режим программирования разрешен, информация с внутренних магистралей МК копируется в регистры блока управления модуля.
0 - память работает в режиме считывания.
Этот бит доступен для чтения и для записи. Бит не может быть сброшен, если бит EEPGM=1. После сброса МК режим программирования не выбран, устанавливается режим простого считывания EEPROM-ПЗУ
AUTO
Только для МК HC908AZ60! В МК HC08AZO/32 этот бит не используется. Бит разрешения автоматического формирования времени выдержки для программирования или стирания (EEPROM Program/Erase Bit).
Если бит AUTO установлен, то интервалы времени приложения высокого напряжения при выполнении операций стирания/программирования отсчитываются встроенным таймером блока управления модуля EEPROM-ПЗУ.
1 - временные интервалы приложения высокого напряжения при программировании/стирании отсчитываются таймером модуля EEPROM-ПЗУ.
0 - временные интервалы приложения высокого напряжения при программировании/стирании должны быть сформированы программно
EEPGM
Бит разрешения режима программирования или стирания (EEPROM Program/Erase Bit).
Этот бит осуществляет управление генератором повышенного напряжения в составе модуля EEPROM-ПЗУ:
1 - повышающий преобразователь напряжения включен.
0 - повышающий преобразователь напряжения выключен. Бит доступен для чтения и для записи. После сброса МК режим программирования/стирания не выбран, устанавливается режим простого считывания EEPROM-ПЗУ

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.06 секунд 2,295,763 уникальных посетителей