В качестве нагрузки в транзисторных каскадах применяются линейные или нелинейные резистивные компоненты. Последние обычно реализуются на транзисторе в соответствующем включении. Для улучшения характеристик каскадов разработаны и широко используются схемы, базирующиеся на объединении двух простых элементов: дифференциальные или балансные каскады и схемы на комплементарных (взаимодополняющих) транзисторах.  

 Развитие полупроводниковой интегральной технологии привело к созданию уникальных структур на многоэмиттерных биполярных транзисторах, экономичных схем инжекционного электропитания биполярных транзисторов, а также изготовления в едином цикле биполярных и полевых транзисторов.

3.2. Проходные характеристики каскадов

Функциональное назначение и основные свойства отражает статическая проходная характеристика, описывающая зависимость выходной от входной величины U_вых(U_вх).

Наиболее распространенный каскад на биполярном транзисторе Т по схеме с общим эмиттером (ОЭ) содержит нагрузочный резистор R_к, подключенный к источнику электропитания V  и коллектору, с которого снимается выходной сигнал   (рис.3.2,а).

Рис.3.3. Каскад ОЭ на БТ (а), модель транзистора (б) и характеристика каскада (в)