December 17 2017 15:44:58
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Принцип действия бистабильных МДП
ЭЛЕКТРОНИКА- курс лекций

Принцип действия бистабильных МДП транзисторов базируется на создании в подзатворном диэлектрике объемного заряда, изменяющего напряжение отпирания. Для локализации заряда в диэлектрике наряду с основным формируют дополнительный поликремниевый затвор, не имеющий соединения с внешними электродами и называемый плавающим (рис.6.44,в).

В исходном состоянии заряд на плавающем затворе отсутствует, и транзистор имеет низкий уровень отпирания. Для перевода в нулевое состояние (программирования ячейки) устанавливаются высокие напряжения на шинах данных UY  > 10 В и адреса UX > UY. В сильном электрическом поле вблизи стока электроны переходят в диэлектрик, под действием поперечной составляющей поля движутся к плавающему затвору и заряжают его. Образующийся отрицательный заряд повышает напряжение открывания. Ток инжекции через диэлектрик весьма мал, что приводит к существенному интервалу времени программирования (на четыре порядка превышающего время считывания). Поскольку плавающий затвор полностью окружен диэлектриком, заряд сохраняется длительное время (десятки лет).

Стирание информации (удаление заряда с плавающего затвора) производят с помощью ультрафиолетового излучения, которое придает электронам дополнительную энергию, достаточную для их перехода в область подложки. Операция стирания выполняется через окно с кварцевым стеклом в корпусе ИМС, которая извлекается из рабочего устройства. При облучении удаляется содержимое всего накопителя. В каждом цикле стирания под действием облучения происходят небольшие изменения в структуре диэлектрика, что ограничивает число циклов перезаписи (несколько десятков).

Наряду с БИС ПЗУ с использованием ультрафиолетового стирания информации широко распространены устройства памяти с электрическим стиранием ЭРПЗУ (EEPROM). Конфигурация и расположение управляющего и плавающего затворов позволяют за счет высокого напряжения на управляющем затворе перевести на него электроны с плавающего затвора, восстановив низкий уровень порогового напряжения.

В ПЗУ с электрическим стиранием используют также структуры с двухслойным диэлектриком под управляющим затвором. Под затвором формируют слой нитрида кремния Si3N4, отделенный от подложки тонкой пленкой двуокиси кремния SiO2 (рис. 6.44,г). Пороговое напряжение изменяют подачей на затвор импульсов положительного напряжения. Вследствие очень большого сопротивления слоя Si3N4 заряд электронов будет накапливаться на границе раздела диэлектриков и сохраняться длительное время. Изменение знака приложенных импульсов напряжения приводит структуру в состояние с низким пороговым уровнем.

Электрически стираемые РПЗУ предоставляют возможность стирания и перепрограммирования любого выбранного бита информации в соответствии с адресом ЗУ непосредственно в электронном изделии, в котором они используются. Кроме того, на несколько порядков увеличивается допустимое число циклов перепрограммирования.

Достоинством ПЗУ является простота ЗЭ и обслуживающих устройств, позволяющих создавать БИС ЗУ большой информационной емкости (более 1 Мбит) при невысокой стоимости.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.03 секунд 2,299,158 уникальных посетителей