December 17 2017 17:26:19
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Постоянные запоминающие устройства
ЭЛЕКТРОНИКА- курс лекций

Создание динамических БИС ОЗУ большой емкости с высокой степенью интеграции потребовало оптимизации схемы ЗЭ и уменьшения числа шин. Для минимизации площади разработан однотранзисторный ЗЭ, структура которого совмещает запоминающий конденсатор СХ, ключевой транзистор Т и выводы шин адреса Х и данных D (рис.6.41,а). В приведенной структуре исток и сток транзистора образуют области n+, причем сток имеет контакт с металлической шиной данных D. Затвором служит слой поликремния Si*, выполняющий функции шины Х адреса строки. Обкладками конденсатора СХ служит область n+ истока и слой поликремния, образующий общую конденсаторную шину 0.


Рис. 6.41. Структура (а) и эквивалентная схема (б) однотранзисторного ЗЭ

При записи импульс выборки Ux =U 1, поданный на адресную шину Х открывает ключевой транзистор и на конденсаторе создается напряжение, установленное на шине данных D (рис.6.41,б). Одновременно в остальных элементах выбранной строки может выполняться регенерация. В режиме хранения напряжение на адресной шине Ux =U 0 » 0 обеспечивает закрытое состояние транзистора, отключающего конденсатор от шины данных. В режиме считывания предварительно на шине данных, имеющей емкость СD устанавливают опорное напряжение UD из условия U 0 < UD < U 1. При поступлении на адресную шину Х импульса выборки Ux =U1 емкости СD и СХ оказываются соединенными через сопротивление канала открытого транзистора. В результате на шине данных устанавливается напряжение UD1 = UD+ΔU при наличии записанной единицы или UD0 = UD ΔU в противоположном случае. Сравнительно небольшое приращение напряжения img329фиксируется чувствительным усилителем чтения.

При считывании и хранении происходит разрушение записанной информации и необходима ее регенерация. Она осуществляется одновременно для всей строки путем считывания данных из ячейки памяти и последующей их перезаписи. Типичное значение периода регенерации составляет единицы миллисекунд.

Свойства динамического ОЗУ зависят от параметров ЗЭ, основными из которых является емкость запоминающего конденсатора и площадь, занимаемая элементом. Рациональная структура содержит транзистор с вертикальным каналом с конденсатором, расположенным под транзистором. Поэтому информационная емкость БИС динамических ОЗУ более чем на порядок превышает емкость статических. При этом усложняется система управления, вводится схема регенерации и усложняются усилители считывания. Элементы памяти потребляют энергию только при переходных режимах (записи, считывания, регенерации) и динамические ОЗУ экономичнее статических, т.к. в основном характеризуются мощностью, потребляемой схемами управления.

Постоянные запоминающие устройства

Постоянные ЗУ (ПЗУ) занимают особое место в иерархической структуре памяти. Они относятся к ЗУ, информация в которых не теряется при отключении электропитания, т. е. являются энергонезависимыми. Необходимость в такой памяти существует в любой вычислительной системе. Компьютер должен иметь небольшое по объему ЗУ для хранения программ начальной загрузки и системы ввода–вывода (Basic Input/Output System), обеспечивающей взаимодействие с внешними устройствами. В компьютерах ПЗУ используются для хранения микропрограмм, постоянных массивов (постоянных коэффициентов), табличных значений и т.п. В управляющих вычислительных устройствах и микроконтроллерах программное обеспечение может быть полностью размещено в ПЗУ.

Постоянная память предназначена для хранения информации, которая не изменяется в ходе выполнения программы вычислений. В процессе работы информацию из ПЗУ можно только считывать, что нашло отражение в названии Reed Only Memory (ROM). Это позволило существенно упростить устройства управления и структуру запоминающих ячеек накопителя, что обусловило ряд достоинств (уменьшение потребляемой мощности, повышение быстродействия и надежности).

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.04 секунд 2,299,260 уникальных посетителей