December 15 2017 04:34:33
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
П о л е в ы е транзисторы типа металл
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Биполярные ИМС преимущественно проектируют на основе транзисторов типа n+- p - n, имеющих хорошие усилительные параметры. При необходимости применения транзисторов типа p - n - p их можно получить на базе имеющейся структуры с использованием подложки в качестве коллектора. Такой транзистор имеет невысокие усилительные и частотные параметры. Если требуется одновременно иметь транзисторы с близкими параметрами, т.е. комплементарную пару, то транзистор типа p - n - p формируют в изолированном кармане и структура получается достаточно сложной. В Для реализации логических и других элементов в интегральной технологии разработаны уникальные структуры многоэмиттерных и многоколлекторных транзисторов, элементов с инжекционным питанием, которые не имеют аналогов в виде отдельных приборов.

П о л е в ы е транзисторы типа металл – диэлектрик – полупроводник (МДП) широко применяются в БИС благодаря их преимуществам:

  • малое число операций в технологическом цикле, повышающее выход годных изделий,

  • отсутствие изолирующих областей, увеличивающее плотность упаковки.

Типичная структура МДП - транзистора с индуцированным каналом n - типа содержит сформированные в кремниевой подложке p - типа  n+ области истока и стока (рис.1.16).

Рис.1.16. Структура МДП транзистор

Их изоляция осуществляется подачей напряжения на вывод подложки, обеспечивающего обратное смещение n+- р переходов. Омические контакты (алюминий – полупроводник) через окна в слое окисла кремния образуют внешние выводы истока и стока.

Методы формирования МДП-транзисторов (с встроенными или индуцируемыми каналами) на полупроводниковых или диэлектрических подложках позволяют изготовить широкий набор приборов с различными характеристиками. Затвор часто выполняют из легированного поликремния, что улучшает технологичность МОП структуры в целом. Использование структур с  вертикальным расположением канала приводит к уменьшению занимаемой транзистором площади.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.02 секунд 2,297,603 уникальных посетителей