October 19 2017 17:25:09
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Основные характеристики транзисторных каскадов
ЭЛЕКТРОНИКА- курс лекций

Простые каскады выполняются на биполярных или полевых транзисторах различного типа. По назначению каскады делятся на входные (предварительные), промежуточные и выходные (мощные). Они различаются назначением и основными параметрами. Например, выходные каскады предназначены для обеспечения передачи максимальной мощности в нагрузку при заданном уровне искажений сигналов.

Транзистор можно рассматривать как прибор с тремя зажимами, соединение которых с цепями ввода и вывода может различаться. В зависимости от наименования электрода, который является общим для входной и выходной цепей, каскады на биполярных транзисторах выполняются по схеме с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). Соответственно каскады на полевых транзисторах имеют схемы с общим истоком (ОИ) или стоком (ОС).

В качестве нагрузки в транзисторных каскадах применяются линейные или нелинейные резистивные компоненты. Последние обычно реализуются на транзисторе в соответствующем включении. Для улучшения характеристик каскадов разработаны и широко используются схемы, базирующиеся на объединении двух простых элементов: дифференциальные или балансные каскады и схемы на комплементарных (взаимодополняющих) транзисторах.


2.2. Основные характеристики транзисторных каскадов

Усилительные (входная и выходная) характеристики каскадов

Модель Эберса–Мола является универсальной и с ее помощью можно рассчитать токи и напряжения в любом режиме работы транзистора.


Рис.2.2. Входная (а) и выходные (б) характеристики биполярного транзистора

Если пренебречь незначительным влиянием напряжения коллекторного перехода на ток эмиттера, то входная характеристика транзистора iэ(uбэ) представляет собой прямую ветвь вольтамперной характеристики эмиттерного перехода (рис.2.2,а).

При нулевом токе эмиттерного перехода Iэ = 0 выходная характеристика транзистора iк(uкб) совпадает с обратной ветвью характеристики коллекторного перехода, представленной током Iк0. Семейство выходных характеристик при различных значениях эмиттерного тока Iэ можно получить смещением характеристики для Iэ= 0 по оси тока на значение Iк =a Iэ1 (рис.2.2,б).

В соответствии с выходными характеристиками эквивалентное сопротивление Rкб = Uк/Iк зависит от токов эмиттера или базы, т.е. ими управляется; поэтому рассматриваемый прибор называют биполярным (двухполярным) транзистором (transfer resistor), т.к. в образовании тока участвуют два типа носителей заряда (электроны и дырки).

В зависимости от способа присоединения источника и нагрузки различают три схемы включения транзистора, названные по типу электрода, являющегося общим для входа и выхода: с общей базой (ОБ), эмиттером (ОЭ) или коллектором (ОК).

В схемах с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) в качестве входного используется зажим базы (рис.2.3,а), и токи эмиттера и коллектора удобно выразить через ток базы iк = b iб и iэ = (b+1) iб.





Рис.2.3. Включение транзистора с общим эмиттером (а) и эквивалентная схема (б)

Источники тока на эквивалентной схеме управляются током базы (рис.2.3,б). Коэффициент передачи тока базы в нормальном активном режиме img012, связывающий токи базы и коллектора, имеет большое значение b >> 1 (например, значение a = 0,99 приводит к b @ 100), что свидетельствует об управлении током коллектора существенно меньшим током базы. Эквивалентная схема реального транзистора включает сопротивления областей коллектора rк, эмиттера rэ и базы rб, а также емкость коллекторного перехода Ск.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.03 секунд 2,256,148 уникальных посетителей