December 17 2017 17:38:14
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Микросхема ПЗУ
ЭЛЕКТРОНИКА- курс лекций

Микросхема ПЗУ содержит матрицу запоминающих элементов (накопитель), дешифратор, усилители-формирователи (рис. 6.42).


Записанная информация содержится в наличии (соответствует 1) или отсутствии (соответствует 0) диода на пересечении горизонтальных шин строки с вертикальными выходными шинами.

При подаче на вход дешифратора кода адреса (например, 10) на шине Х2 устанавливается высокое напряжение U 1, приводящее к отпиранию диодов, присоединенных к выбранной шине и появлению высокого напряжения на соответствующих вертикальных шинах (Y3, Y2), которое создает на выходе сигнал 1100.

При большой информационной емкости накопителя и множестве разрядных шин проявляются недостатки матрицы диодных ЗЭ:

- значительный ток утеки через множество обратно смещенных диодов, который может привести к нарушению работоспособности;

- невысокое быстродействие, обусловленное перезарядкой емкостей шины данных,

- большая нагрузка выходов дешифратора, выдающих при больших коэффициентах разветвления сигналы непосредственно на усилители.

Для улучшения параметров ЗУ в элементах используют биполярные (рис.6.43,а) или МДП транзисторы (рис.6.43,б).


Рис. 6.43. ЗЭ транзисторные биполярные (а), полевые (б) и с плавкими перемычками (в)

Биполярные транзисторы обеспечивают высокое быстродействие за счет быстрого разряда емкости CD большим эмиттерным током, но характеризуются потреблением базового тока по цепи управления. МДП транзисторы имеют весьма малое потребление по цепи затвора и более технологичны в изготовлении.

Энергонезависимость запоминающего устройства достигается необратимым (или трудно обратимым) изменением физических параметров ЗЭ в процессе записи. По способу занесения данных (программирования) различают ПЗУ с однократной записью и ПЗУ со стиранием информации, в которых возможна перезапись данных. Отличие пере-программируемых ПЗУ от ОЗУ заключается в организации отдельного режима стирания и занесения информации, не совмещенного с основным режимом работы устройства.

В ПЗУ однократно программируемых пользователем (ППЗУ) или Programmable ROM (PROM) в поставляемой изготовителем микросхеме все ЗЭ подключены к шинам. Процесс программирования заключается в пережигании изготовленных из нихрома или поликрем-ния плавких перемычек по заданному адресу с помощью мощных импульсов тока.

В многократно программируемых пользователем (репрограммируемых) ПЗУ или Erasable PROM (EPROM) применяют бистабильные МДП транзисторы с электрически формируемыми низким U и высоким U уровнями порогового напряжения отпирания (рис.6.44,а). В режиме считывания при подаче на выбранную адресную шину X единичного напряжения, значение которого лежит между пороговыми уровнями U < UX < U, будут открыты только подключенные к шине транзисторы с низким пороговым уровнем (рис.6.44,б). Через шину данных, с которой соединен открытый транзистор, на вход усилителя чтения поступит ток, который преобразуется в единичный уровень напряжения на выходе.

img330

Рис. 6.44. Характеристики бистабильного транзистора (а); схема ЗЭ (б); структуры транзисторов с плавающим затвором (в) и МНОП (г)

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.06 секунд 2,299,307 уникальных посетителей