December 17 2017 15:51:38
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Логические и запоминающие устройства
ЭЛЕКТРОНИКА- курс лекций

Методы формирования МДП транзисторов (с встроенными или индуцируемыми каналами) на полупроводниковых или диэлектрических подложках позволяют изготовить широкий набор приборов с различными характеристиками. Затвор часто выполняют из легированного поликремния, что улучшает технологичность МОП структуры в целом. Использование структур с  вертикальным расположением канала приводит к уменьшению занимаемой транзистором площади.

Для создания в МДП технологии пары взаимодополняющих транзисторов с близкими параметрами (КМОП структуры) в слаболегированной р-подложке образуют два кармана с различным типом проводимости. Затем в кармане с проводимостью типа n формируют транзистор с р каналом, а в кармане с р проводимостью – транзистор с n каналом.

Диоды в ИМС получают на основе транзисторов путем использования одного из p-n переходов. Наиболее распространенный пассивный компонент – резистор при биполярной технологии реализуют на основе базовой области транзистора. Слаболегированный базовый слой, обладающий поверхностным сопротивлением ρs = 200…300 Ом/□, позволяет получить не слишком большие сопротивления до единиц килоом. В МДП технологии в качестве резисторов с небольшими значениями сопротивлений используют канал (при постоянном напряжении затвора). Большие значения сопротивлений получают формированием специальных областей из поликремния.

В качестве конденсаторов небольшой емкости используют МДП структуру с встроенным каналом. Типичное значение удельной емкости на единицу площади между выводами затвора и канала составляет примерно С0 = 300 пФ/мм2. В биполярной технологии обычно используют емкость обратно смещенного p-n перехода, имеющую нелинейную характеристику и обладающую невысоким пробивным напряжением.

Наивысшая степень интеграции и полнота функциональных возможностей получены в устройствах цифровой электроники. Для оценки уровня технологии вводят понятие минимального технологического размера, как наименьшего достижимого размера толщины проводников, расстояния между ними, ширины легированной области в полупроводниковом слое, например, минимальной ширины эмиттера БТ или длины канала в полевых транзисторах. Миниатюризация аналоговых устройств (усилителей, генераторов, преобразователей формы и спектра сигналов) проходила гораздо медленнее вследствие объективных факторов, к которым относится наличие множества пассивных компонентов и конструктивно несовместимых с ИМС элементов (индуктивности).


2.4. Логические и запоминающие устройства (цифровые системы и их элементы)

Логические устройства

Цифровым называют устройство, которое в соответствии с заданным алгоритмом обрабатывает данные, т.е. последовательности чисел, представленных преимущественно в позиционной двузначной (бинарной) системе счисления, алфавит которой содержит два символа 0 и 1. Работу цифрового преобразователя описывают логической функцией переменных. Элементы цифрового преобразователя, служащие основой построения устройств, представляют простую функционально завершенную его часть. Двоичный элемент обладает двумя различающимися признаками сигнала, которые кодируются цифрами 0 и 1. В качестве базовых признаков двоичных сигналов используют:

  • - наличие или отсутствие импульсов напряжения (импульсное представление),

  • - значение фазы 0 или p синусоидального напряжения (фазовая манипуляция),

  • - низкий или высокий уровни напряжения (потенциальное представление).

Преимущественное распространение получили потенциальные логические элементы (ЛЭ), наиболее просто реализуемые с использованием приемов интегральной технологии благодаря непосредственной связи элементов без конденсаторов. Потенциальные элементы не требуют применения специальных преобразователей формы импульсов для кодирования выходных уровней, что снижает аппаратные затраты при построении сложных цифровых устройств.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.06 секунд 2,299,191 уникальных посетителей