October 18 2017 02:56:25
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Интегральная микроэлектроника
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Ток Iв гарантирует положительное напряжение смещения на всех переходах и дальнейшее его увеличение дает характеристику открытого диода. Изменение полярности приложенного напряжения на противоположное практически не изменяет начального тока I @ Iк0 вплоть до электрического пробоя.

Введенный ток Iу1 управляющего электрода складывается с током коллектора T2, что увеличивает общий ток через и снижает напряжения включения тиристора Uв1.

Разработано несколько разновидностей тиристоров (симметричные, запираемые и другие), обладающие различными свойствами и характеристиками.

1.5. Интегральная микроэлектроника

Современный этап развития электроники характеризуется преимущественным применением интегральных микросхем (ИМС), содержащих на кристалле (в одном корпусе) десятки миллионов схемных элементов. Микроминиатюризация, конструктивная интеграция элементов, функциональная завершенность микросхем, построенных на основе групповой полупроводниковой планарной технологии, обусловили их достоинства:

  • функциональную сложность и высокую степень интеграции;

  • идентичность параметров элементов, произведенных в одном  цикле;

  • надежность изделий за счет технологического объединения  элементов и соединений;

  • рентабельность производства с высоким уровнем автоматизации.

В основе технологии производства ИМС лежит интегрально – групповой метод, ориентированный на одновременное формирование большого числа элементов на общей полупроводниковой или диэлектрической пластине (подложке). Материалом для изготовления микросхем преимущественно служит кремний («кремниевая технология») вследствие его доступности, относительной простоты легирования (добавления примесей) и образования окислов. Технологический процесс изготовления ИМС содержит ряд этапов от получения сверхчистого кремния до формирования в приповерхностной области зон с различными электрофизическими параметрами, образующих активные и пассивные компоненты, а также соединяющие их проводники.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.03 секунд 2,254,976 уникальных посетителей