December 12 2017 08:08:24
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Электроника
ЭЛЕКТРОНИКА- курс лекций

ЭЛЕКТРОНИКА (курс лекций)

Раздел 4. Элементная база электронных устройств промышленной электроники

Глава 1. Полупроводниковые приборы (0,5 лекции)

1.1. Структуры полупроводниковых приборов (электронные переходы).

Рассмотрим следующие полупроводниковые приборы промышленной электроники, их принцип действия, характеристики и параметры:

  • диоды;

  • биполярные и полевые транзисторы;

  • тиристоры.

Большое число элементов с заданными характеристиками получено на основе явлений, возникающих в структурах, содержащих электрические переходы, которые образуются при контакте материалов с различными электрофизическими свойствами.

Явления в электрических переходах, под которыми понимают узкую область вблизи поверхности раздела разных материалов, широко применяют для построения электронных приборов и датчиков. Электронно-дырочные (p-n) переходы составляют основную часть разнообразных полупроводниковых структур. При образовании металлургического контакта полупроводниковых пластин n-типа и p-типа с концентрациями электронов nn @ 1018см -3 и дырок pp @ 1013см -3 вблизи соединения наблюдается большой градиент (разница) концентраций отрицательных и положительных свободных зарядов.







Рис. 1.1. Структура p–n перехода (а), его характеристика (б), полупроводниковый диод (в) и его эквивалентная схема (г).

Это поле создает в обедненном основными носителями слое потенциальный барьер j0, препятствующий дальнейшему перемещению зарядов и обеспечивающий динамическое равновесие.

Приложение внешнего напряжения прямого направления (плюсом к р-области) снижает потенциальный барьер и приводит к возникновению тока, который незначителен пока приложенное напряжение меньше уровня отпирания перехода U*, который для кремниевых структур составляет от 0,45 В до 0,75 В (рис.1.1,б). Дальнейшее увеличение напряжения вызывает значительный рост тока. Изменение полярности приложенного напряжения приводит к повышению потенциального барьера и поддержанию через переход весьма малого обратного тока, обусловленного перемещением неосновных носителей (дырок в n-области и электронов в p-области) с незначительными концентрациями.

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.05 секунд 2,295,752 уникальных посетителей