October 20 2017 00:38:47
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Д и о д ы в ИМС
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Для создания в МДП технологии пары взаимодополняющих транзисторов с близкими параметрами (КМОП структуры) в слаболегированной  р - подложке образуют два кармана с различным типом проводимости. Затем в кармане с проводимостью типа  n формируют транзистор с  р каналом, а в кармане с р проводимостью – транзистор с n каналом.    

Различие технологических процессов изготовления биполярных и полевых привело к разработке схемотехнических решений с раздельным применением биполярных и МДП-транзисторов. Вместе с тем, совместное применение полевых и биполярных транзисторов позволяет улучшить характеристики элементов за счет использования уникальных свойств приборов: весьма высокого входного сопротивления МДП транзисторов и достаточно малого выходного сопротивления биполярного прибора. Развитие технологии привело к созданию комбинированных методов, позволяющих сочетать изготовление биполярных и полевых приборов в одном цикле. При этом канал n  - типа вместе с карманом р  - типа и подложкой n - типа образуют дополнительный биполярный транзистор.

Д и о д ы  в ИМС получают на основе транзисторов путем использования одного из  p - n переходов. Наиболее распространенный пассивный компонент – резистор при биполярной технологии реализуют на основе базовой области транзистора. Слаболегированный базовый слой, обладающий поверхностным сопротивлением ρs = 200…300 Ом/□, позволяет получить не слишком большие сопротивления до единиц килоом. В МДП технологии в качестве резисторов с небольшими значениями сопротивлений используют канал (при постоянном напряжении затвора). Большие значения сопротивлений получают формированием специальных областей из поликремния.

В качестве конденсаторов небольшой емкости используют МДП-структуру с встроенным каналом. Типичное значение удельной емкости на единицу площади между выводами затвора и канала составляет примерно С0 = 300 пФ/ мм2. В биполярной технологии обычно используют емкость обратно смещенного p - n перехода, имеющую нелинейную характеристику и обладающую невысоким пробивным напряжением.

Наивысшая степень интеграции и полнота функциональных возможностей  получены в устройствах цифровой электроники. Для оценки уровня технологии вводят понятие минимального технологического размера, как наименьшего достижимого размера толщины проводников, расстояния между ними, ширины легированной области в полупроводниковом слое, например, минимальной ширины эмиттера БТ. Миниатюризация аналоговых устройств (усилителей, генераторов, преобразователей формы и спектра сигналов) проходила гораздо медленнее вследствие объективных факторов, к которым относится наличие множества пассивных компонентов и конструктивно несовместимых с ИМС элементов, (катушки индуктивности).

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.02 секунд 2,256,549 уникальных посетителей