October 20 2017 00:25:22
Навигация
Авторизация
Логин

Пароль



Вы не зарегистрированы?
Нажмите здесь для регистрации .

Забыли пароль?
Запросите новый здесь.
Активный инверсный режим
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

Наряду с рассмотренным нормальным активным режимом в зависимости от полярности внешних источников возможны другие направления напряжений на переходах и соответствующие им характеристики. Активный инверсный режим можно получить, поменяв точки подключения эмиттера и коллектора. При этом открыт переход база – коллектор, задающий ток коллектора iк, а ток эмиттера определяется соотношением iэ = αи iк.   Несимметричность конструкции транзистора (высокая степень легированности области эмиттера при большей площади коллектора) приводит к меньшему значению коэффициента передачи тока в инверсном включении αи @ 0,7…0,9. В режиме насыщения полярность и напряжения источников таковы, что оба перехода смещены в прямом направлении и падения напряжений на них невелики (Uбэн @ 0,5…0,7 В и Uкэн @ 0,2…0,4 В). Если к переходам приложены запирающие напряжения, то транзистор находится в режиме отсечки тока. Отсечка и насыщение используют в импульсной электронике для получения замкнутого и разомкнутого состояния транзисторного ключа. Модель Эберса – Мола является универсальной и с ее помощью можно рассчитать токи и напряжения в любом режиме работы транзистора.

Если пренебречь незначительным влиянием напряжения коллекторного перехода на ток эмиттера, то входная характеристика транзистора iэ(uбэ) представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристики эмиттерного перехода (рис.1.10,а).


Рис.1.10. Входная (а) и выходные (б) характеристики биполярного транзистора

При нулевом токе эмиттерного перехода Iэ = 0 выходная характеристика транзистора iк(uкб) совпадает с обратной ветвью характеристики коллекторного перехода, представленной током Iк0. Cемейство выходных характеристик при различных значениях эмиттерного тока Iэ можно получить смещением характеристики для Iэ= 0 по оси тока на значение Iк =a Iэ1 (рис.1.10,б).

В соответствии с выходными характеристиками эквивалентное сопротивление Rкб = Uк /Iк  зависит токов эмиттера или базы, т. е. ими управляется; поэтому рассматриваемый прибор называют транзистором (transfer resistor) биполярным (двуполярным), т. к. в образовании тока участвуют два типа носителей заряда (электроны и дырки).

В зависимости от способа присоединения источника и нагрузки различают три схемы включения транзистора, названные по типу электрода, являющегося общим для входа и выхода: с общей базой (ОБ), эмиттером (ОЭ) или коллектором (ОК).

В схемах с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) в качестве входного используется зажим базы (рис.1.11,а), и токи эмиттера и коллектора удобно выразить через ток базы iк = b iб и iэ = bи iб.  







Рис.1.11. Включение транзистора с общим эмиттером (а) и эквивалентная схема (б)

Источники тока на эквивалентной схеме управляются током базы (рис.1.11,б). Коэффициент передачи тока базы в нормальном активном режиме img10, связывающий токи базы и коллектора, имеет большое значение b >> 1 (например, значение a = 0,99 приводит к b @ 100), что свидетельствует об управлении током коллектора существенно меньшим током базы. Коэффициент передачи инверсного режима имеет значительно меньшее значение bи < b. Эквивалентная схема реального транзистора включает сопротивления областей коллектора rк, эмиттера rэ и базы rб, а также емкость коллекторного перехода Ск .

Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста, залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.

Пожалуйста, авторизуйтесьили зарегистрируйтесь для голосования.

Нет данных для оценки.

Время загрузки: 0.06 секунд 2,256,478 уникальных посетителей